IGBT芯片制造方法及IGBT芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710606477.8

申请日：

2017-07-24

公开(公告)号：

CN107578998B

公开(公告)日：

2018-01-12

发明(设计)人：

王耀华温家良金锐赵哿刘江高明超崔磊李立朱涛

申请人：

申请人地址：

102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L2906 H01L29739

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

马永芬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20170724
2021-02-09	授权	授权
2018-01-12	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT芯片及其制造方法 [P].

黄宝伟 ;

肖秀光 .

中国专利 :CN111129134B ,2020-05-08

[2]

IGBT芯片及其制造方法 [P].

朱辉 ;

肖秀光 .

中国专利 :CN110943124A ,2020-03-31

[3]

IGBT芯片结构的制备方法和IGBT芯片结构 [P].

滕渊 ;

刘坤 .

中国专利 :CN119092408A ,2024-12-06

[4]

IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P].

葛孝昊 ;

史波 ;

曾丹 ;

陈茂麟 .

中国专利 :CN211150564U ,2020-07-31

[5]

一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法 [P].

王耀华 ;

金锐 ;

高明超 ;

李立 ;

刘江 ;

潘艳 ;

吴军民 .

中国专利 :CN113097287A ,2021-07-09

[6]

IGBT芯片封装方法及IGBT芯片封装模块 [P].

张伟 .

中国专利 :CN118782478A ,2024-10-15

[7]

IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P].

葛孝昊 ;

史波 ;

曾丹 ;

陈茂麟 .

中国专利 :CN113224136A ,2021-08-06

[8]

IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P].

葛孝昊 ;

史波 ;

曾丹 ;

陈茂麟 .

中国专利 :CN113224136B ,2025-08-01

[9]

IGBT芯片 [P].

李迪 ;

宁旭斌 ;

肖海波 .

中国专利 :CN113035949A ,2021-06-25

[10]

IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法 [P].

曹功勋 ;

朱涛 ;

刘瑞 ;

吴昊 ;

金锐 ;

吴军民 ;

潘艳 .

中国专利 :CN109671771B ,2019-04-23

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