IGBT芯片结构的制备方法和IGBT芯片结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411582952.9

申请日：

2024-11-07

公开(公告)号：

CN119092408A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

滕渊刘坤

申请人：

深圳市美浦森半导体有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A

IPC主分类号：

H01L21/331

IPC分类号：

H01L29/47 H01L29/739

代理机构：

深圳昊生知识产权代理有限公司 44729

代理人：

谢朗星

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	公开	公开
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/331申请日:20241107

共 50 条

[1]

一种IGBT芯片的元胞区结构和IGBT芯片 [P].

滕渊 ;

刘坤 .

中国专利 :CN223286135U ,2025-08-29

[2]

IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法 [P].

曹功勋 ;

朱涛 ;

刘瑞 ;

吴昊 ;

金锐 ;

吴军民 ;

潘艳 .

中国专利 :CN109671771B ,2019-04-23

[3]

IGBT芯片制造方法及IGBT芯片 [P].

王耀华 ;

温家良 ;

金锐 ;

赵哿 ;

刘江 ;

高明超 ;

崔磊 ;

李立 ;

朱涛 .

中国专利 :CN107578998B ,2018-01-12

[4]

IGBT芯片的结构 [P].

邓华鲜 .

中国专利 :CN104835841B ,2015-08-12

[5]

一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法 [P].

王耀华 ;

金锐 ;

高明超 ;

李立 ;

刘江 ;

潘艳 ;

吴军民 .

中国专利 :CN113097287A ,2021-07-09

[6]

沟槽IGBT芯片版图结构 [P].

曹功勋 ;

郎金荣 ;

刘建华 .

中国专利 :CN113363252A ,2021-09-07

[7]

多个IGBT芯片集成结构 [P].

王建全 ;

彭彪 ;

张干 ;

王作义 ;

崔永明 .

中国专利 :CN204732395U ,2015-10-28

[8]

IGBT芯片版图布局结构 [P].

陈宏 ;

朱阳军 ;

徐承福 ;

卢烁今 ;

吴凯 .

中国专利 :CN203012722U ,2013-06-19

[9]

IGBT芯片 [P].

李迪 ;

宁旭斌 ;

肖海波 .

中国专利 :CN113035949A ,2021-06-25

[10]

IGBT模块封装结构及IGBT芯片的温度检测方法 [P].

项澹颐 .

中国专利 :CN110707062A ,2020-01-17

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