IGBT芯片子单元的封装结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811275230.3

申请日：

2018-10-30

公开(公告)号：

CN111128900A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

戴小平王亚飞王彦刚窦泽春吴煜东

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

H01L29739 H01L2156

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;何娇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-08	授权	授权
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/29 申请日:20181030
2020-05-08	公开	公开
2020-10-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/29 登记生效日:20200930 变更事项:申请人变更前权利人:株洲中车时代电气股份有限公司变更后权利人:株洲中车时代半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后权利人:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

共 50 条

[1]

IGBT芯片及其制造方法 [P].

朱辉 ;

肖秀光 .

中国专利 :CN110943124A ,2020-03-31

[2]

IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P].

葛孝昊 ;

史波 ;

曾丹 ;

陈茂麟 .

中国专利 :CN113224136A ,2021-08-06

[3]

IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P].

葛孝昊 ;

史波 ;

曾丹 ;

陈茂麟 .

中国专利 :CN113224136B ,2025-08-01

[4]

IGBT芯片及其制造方法 [P].

黄宝伟 ;

肖秀光 .

中国专利 :CN111129134B ,2020-05-08

[5]

IGBT芯片与相变均热板的集成封装结构及其制造方法 [P].

黄光文 ;

李勇 ;

周文杰 ;

何柏林 ;

陈韩荫 ;

陈创新 .

中国专利 :CN108022894B ,2024-09-24

[6]

IGBT芯片与相变均热板的集成封装结构及其制造方法 [P].

黄光文 ;

李勇 ;

周文杰 ;

何柏林 ;

陈韩荫 ;

陈创新 .

中国专利 :CN108022894A ,2018-05-11

[7]

IGBT芯片封装方法及IGBT芯片封装模块 [P].

张伟 .

中国专利 :CN118782478A ,2024-10-15

[8]

IGBT芯片及其制备方法 [P].

刘国友 ;

覃荣震 ;

黄建伟 .

中国专利 :CN104157683B ,2014-11-19

[9]

IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法 [P].

曹功勋 ;

朱涛 ;

刘瑞 ;

吴昊 ;

金锐 ;

吴军民 ;

潘艳 .

中国专利 :CN109671771B ,2019-04-23

[10]

IGBT芯片制造方法及IGBT芯片 [P].

王耀华 ;

温家良 ;

金锐 ;

赵哿 ;

刘江 ;

高明超 ;

崔磊 ;

李立 ;

朱涛 .

中国专利 :CN107578998B ,2018-01-12

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