外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711463957.X

申请日：

2017-12-28

公开(公告)号：

CN108456864A

公开(公告)日：

2018-08-28

发明(设计)人：

向光胜叶青贤喻海波蔡云聪

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村（浙江四达工具有限公司内）

IPC主分类号：

C23C1452

IPC分类号：

C23C1454 C23C1652 C30B2300 C30B2516

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-07	授权	授权
2018-08-28	公开	公开
2018-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/52 申请日:20171228

共 50 条

[1]

多层外延层的生长设备以及生长方法 [P].

张斌 ;

陈浩 ;

张峰 .

中国专利 :CN101550590A ,2009-10-07

[2]

多外延层的生长设备及生长方法 [P].

彭晖 ;

罗绍迪 ;

方旭凯 ;

欧鹏 ;

廖秋林 .

中国专利 :CN121110176A ,2025-12-12

[3]

LED外延层生长方法及LED外延层 [P].

张宇 ;

林传强 ;

农民涛 ;

周佐华 .

中国专利 :CN103952684B ,2014-07-30

[4]

外延生长设备和外延生长方法 [P].

马欢 ;

田娜娜 ;

葛永晖 ;

蔡历武 ;

张明 .

中国专利 :CN119913608A ,2025-05-02

[5]

LED外延层生长方法及LED外延层 [P].

农明涛 .

中国专利 :CN103996759A ,2014-08-20

[6]

外延生长设备和外延生长方法 [P].

费璐 ;

林志鑫 ;

曹共柏 ;

王华杰 ;

董晨华 ;

季文明 .

中国专利 :CN110578166A ,2019-12-17

[7]

抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法 [P].

王晓亮 ;

储佳焰 ;

肖红领 ;

姜丽娟 ;

王权 ;

冯春 ;

王茜 ;

李巍 ;

刘宏新 .

中国专利 :CN111463109A ,2020-07-28

[8]

一种减少外延层缺陷密度的外延生长方法 [P].

韩沈丹 ;

黄宏嘉 .

中国专利 :CN104505444A ,2015-04-08

[9]

外延层、外延层生长方法及半导体结构 [P].

赵旭熠 ;

王玮竹 ;

尚金铭 .

中国专利 :CN119800494A ,2025-04-11

[10]

一种外延层生长方法及外延层 [P].

杨静雯 ;

刘勇兴 ;

周毅 ;

黄嘉宏 ;

黄国栋 .

中国专利 :CN114032611A ,2022-02-11

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