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半导体基底的制备方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110757022.2
申请日：
2021-07-05
公开(公告)号：
CN113471138A
公开(公告)日：
2021-10-01
发明(设计)人：
杨航
全钟声
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L21306
H01L213065
H01L27088
代理机构：
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人：
孙宝海;袁礼君
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210705 |
| 2021-10-01 | 公开 | 公开 |