含有半导体纳米晶体的发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680012547.7

申请日：

2006-02-15

公开(公告)号：

CN101213681A

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

芒吉·G·巴温迪弗拉迪米尔·布洛维克塞思·科－沙利文让－米歇尔·卡鲁奇乔纳森·斯特克尔亚历克西·阿兰戈乔纳森·E·哈尔珀特

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

宋莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	公开	公开
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

含有半导体纳米晶体的发光器件 [P].

芒吉.G.巴温迪 ;

弗拉迪米尔.布洛维克 ;

塞思.科-沙利文 ;

让-米歇尔.卡鲁奇 ;

乔纳森.斯特克尔 ;

亚历克西.阿兰戈 ;

乔纳森.E.哈尔珀特 .

中国专利 :CN107507895B ,2017-12-22

[2]

包含半导体纳米晶体的发光器件 [P].

陈江龙 ;

弗拉迪米尔·布洛维克 ;

波利纳·阿尼基瓦 ;

芒吉·G·巴文迪 .

中国专利 :CN101490785A ,2009-07-22

[3]

包含半导体纳米晶体的发光器件 [P].

塞思·科－沙利文 ;

乔纳森·S·斯特克尔 ;

李安·金 ;

芒吉·G·巴文迪 ;

弗拉迪米尔·布洛维克 .

中国专利 :CN101088180A ,2007-12-12

[4]

包含半导体纳米晶体的发光器件 [P].

弗拉迪米尔·布洛维克 ;

塞思·A·科 ;

胡颖强 ;

芒吉·G·巴温迪 .

中国专利 :CN1656856A ,2005-08-17

[5]

纳米结构半导体发光器件 [P].

徐软瑀 ;

金定燮 ;

崔荣进 ;

丹尼斯·桑尼科夫 ;

成汉珪 ;

千大明 ;

许在赫 .

中国专利 :CN105765741A ,2016-07-13

[6]

半导体纳米颗粒的制造方法、半导体纳米颗粒、包括半导体纳米颗粒的电致发光器件、和显示装置 [P].

尹多恩 ;

河炫同 ;

闵智玄 .

韩国专利 :CN120383936A ,2025-07-29

[7]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[8]

半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件 [P].

J.A.金 ;

元裕镐 ;

金星祐 ;

金泰亨 ;

李晶姬 ;

张银珠 .

中国专利 :CN110172348A ,2019-08-27

[9]

半导体发光器件中生长的光子晶体 [P].

J·J·小韦勒 ;

M·R·克雷默斯 ;

N·F·加德纳 .

中国专利 :CN101278411A ,2008-10-01

[10]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

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