一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410158153.9

申请日：

2014-04-18

公开(公告)号：

CN103936075B

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

李洁陈启元侯武娇杨亚辉李文章

申请人：

申请人地址：

410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

IPC主分类号：

C01G4102

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

长沙市融智专利事务所 43114

代理人：

魏娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	公开	公开
2015-08-26	授权	授权
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584557503 IPC(主分类):C01G 41/02 专利申请号:2014101581539 申请日:20140418
2022-04-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 41/02 申请日:20140418 授权公告日:20150826 终止日期:20210418

共 50 条

[1]

一种纳米三氧化钨薄膜的制备方法 [P].

陈启元 ;

李洁 ;

李文章 ;

刘立阳 .

中国专利 :CN101734866A ,2010-06-16

[2]

一种制备三氧化钨薄膜的方法 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

郑善亮 .

中国专利 :CN101608293B ,2009-12-23

[3]

一种锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备方法 [P].

刘丽英 ;

刘润 ;

王萍 ;

徐铸德 ;

许宜铭 .

中国专利 :CN103088381A ,2013-05-08

[4]

纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

段晓菲 .

中国专利 :CN102418116A ,2012-04-18

[5]

一种取向三氧化钨纳米薄膜的制备方法 [P].

陈德良 ;

张锐 ;

王海龙 ;

卢红霞 ;

许红亮 .

中国专利 :CN101318705A ,2008-12-10

[6]

高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法 [P].

杨晓刚 ;

曹光明 ;

汪欣伟 ;

石运鹏 ;

金佳淇 ;

胡俊蝶 ;

曲家福 ;

李长明 ;

吴其华 ;

葛德培 .

中国专利 :CN115432939A ,2022-12-06

[7]

高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法 [P].

杨晓刚 ;

曹光明 ;

汪欣伟 ;

石运鹏 ;

金佳淇 ;

胡俊蝶 ;

曲家福 ;

李长明 ;

吴其华 ;

葛德培 .

中国专利 :CN115432939B ,2024-04-09

[8]

氧化钨薄膜的制备方法 [P].

赵倩 ;

张洪文 ;

刘广强 ;

蔡伟平 .

中国专利 :CN109100343A ,2018-12-28

[9]

一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法 [P].

李远刚 ;

冯娟 ;

李华静 ;

张卓 ;

杨淑丽 ;

史永宏 ;

魏小亮 ;

王荣荣 .

中国专利 :CN105274503A ,2016-01-27

[10]

一种三氧化钨纳米片的制备方法 [P].

陈伟凡 ;

方晓辰 ;

施策 ;

尧牡丹 ;

柳丽芸 ;

徐强 ;

叶斌 .

中国专利 :CN107662948A ,2018-02-06

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