氢分离膜、氢分离膜形成用溅射靶及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580039090.4

申请日：

2005-11-04

公开(公告)号：

CN101084056A

公开(公告)日：

2007-12-05

发明(设计)人：

中村笃志矢作政隆井上明久木村久道山浦真一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

B01D7102

IPC分类号：

B01D5322 C01G5300 C23C1434

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

樊卫民;郭国清

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	授权	授权
2011-07-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101115894185 IPC(主分类):B01D 71/02 专利号:ZL2005800390904 变更事项:专利权人变更前:日矿金属株式会社变更后:吉坤日矿日石金属株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京变更事项:共同专利权人变更前:东北大学变更后:东北大学
2017-04-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749703256 IPC(主分类):B01D 71/02 专利号:ZL2005800390904 变更事项:专利权人变更前:吉坤日矿日石金属株式会社变更后:捷客斯金属株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京变更事项:专利权人变更前:东北大学变更后:东北大学
2007-12-05	公开	公开
2008-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氢分离膜以及制造氢分离膜的方法 [P].

朴锺洙 ;

李信根 ;

李春枎 ;

李晟旭 .

中国专利 :CN104918682A ,2015-09-16

[2]

耐热氢分离膜及其制造方法 [P].

朴种洙 ;

黄敬兰 ;

李信根 ;

金台焕 ;

李春枎 ;

李晟旭 .

中国专利 :CN104023831A ,2014-09-03

[3]

溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体 [P].

远藤瑶辅 ;

山本浩由 ;

桃井元 ;

角田浩二 ;

奈良淳史 .

中国专利 :CN111364011B ,2020-07-03

[4]

磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN109943814A ,2019-06-28

[5]

磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN107075665A ,2017-08-18

[6]

磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN105793465B ,2016-07-20

[7]

氢分离膜和氢分离法 [P].

黑川英人 ;

西井匠 ;

白崎义则 ;

安田勇 ;

森永正彦 ;

汤川宏 ;

南部智宪 ;

松本佳久 .

中国专利 :CN102574074A ,2012-07-11

[8]

磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN104221085B ,2014-12-17

[9]

用于制造金属玻璃膜的溅射靶及其制造方法 [P].

中村笃志 ;

矢作政隆 ;

井上明久 ;

木村久道 ;

山浦真一 .

中国专利 :CN101061252A ,2007-10-24

[10]

氢分离膜及其生产方法 [P].

井上明久 ;

木村久道 ;

山浦真一 ;

西田元纪 ;

大河内均 ;

新保洋一郎 .

中国专利 :CN100366329C ,2006-03-29

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