一种半导体器件制作光刻对准方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510985299.5

申请日：

2015-12-25

公开(公告)号：

CN106919015A

公开(公告)日：

2017-07-04

发明(设计)人：

岳金亮陈辉宋里千程银华刘鹏飞郭可

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

G03F900

IPC分类号：

H01L23544

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

赵洪

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G03F 9/00 登记生效日:20201019 变更事项:专利权人变更前权利人:株洲中车时代电气股份有限公司变更后权利人:株洲中车时代半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后权利人:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
2017-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101737360719 IPC(主分类):G03F 9/00 专利申请号:2015109852995 申请日:20151225
2017-07-04	公开	公开
2020-10-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03F 9/00 变更事项:专利权人变更前:株洲南车时代电气股份有限公司变更后:株洲中车时代电气股份有限公司变更事项:地址变更前:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
2018-08-14	授权	授权

共 50 条

[1]

光刻对准标记、光刻对准方法以及半导体器件制备方法 [P].

王哲忠 ;

叶峻玮 .

中国专利 :CN111916427A ,2020-11-10

[2]

一种用于半导体器件制备的光刻对准标记制作方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

敦少博 ;

顾国栋 ;

韩婷婷 ;

王俊龙 .

中国专利 :CN103456659A ,2013-12-18

[3]

一种光刻方法、半导体器件及其制作方法 [P].

蔡炯祯 ;

简永浩 .

中国专利 :CN112530794A ,2021-03-19

[4]

光刻对准结构、半导体器件及光刻对准结构的形成方法 [P].

张业利 ;

唐明浩 .

中国专利 :CN118244594B ,2024-09-03

[5]

光刻对准结构、半导体器件及光刻对准结构的形成方法 [P].

张业利 ;

唐明浩 .

中国专利 :CN118244594A ,2024-06-25

[6]

光刻对准结构、光刻对准结构的形成方法及半导体器件 [P].

高云 ;

邱运航 ;

王科 ;

陈方友 ;

赵祥旭 ;

袁宝玲 .

中国专利 :CN120669481A ,2025-09-19

[7]

一种制作半导体器件的方法 [P].

舒强 ;

郝静安 .

中国专利 :CN104517831B ,2015-04-15

[8]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

高吴昊 ;

吴毅锋 ;

曾凡明 .

中国专利 :CN118800656A ,2024-10-18

[9]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

高吴昊 ;

吴毅锋 ;

曾凡明 .

中国专利 :CN118800656B ,2024-11-19

[10]

一种半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

许孟凯 ;

陈胜男 ;

陈智广 ;

吴淑芳 ;

林伟铭 ;

林张鸿 ;

林豪 ;

詹智梅 .

中国专利 :CN108565210B ,2018-09-21

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