一种制作半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310451411.8

申请日：

2013-09-27

公开(公告)号：

CN104517831B

公开(公告)日：

2015-04-15

发明(设计)人：

舒强郝静安

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2132

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-20	授权	授权
2015-04-15	公开	公开
2015-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609209643 IPC(主分类):H01L 21/32 专利申请号:2013104514118 申请日:20130927

共 50 条

[1]

一种制作半导体器件的方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN104183536A ,2014-12-03

[2]

制作半导体器件的方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103165461B ,2013-06-19

[3]

一种制作半导体器件的方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103794547A ,2014-05-14

[4]

一种制作半导体器件的方法 [P].

倪梁 ;

汪新学 ;

伏广才 .

中国专利 :CN105336669B ,2016-02-17

[5]

制作半导体器件的方法 [P].

高大为 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102005372A ,2011-04-06

[6]

一种制作半导体器件的方法 [P].

王刚宁 ;

戴执中 ;

冯喆韻 ;

贺吉伟 ;

浦贤勇 .

中国专利 :CN104576503A ,2015-04-29

[7]

一种制作半导体器件的方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104241193A ,2014-12-24

[8]

一种制作半导体器件的方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105140186A ,2015-12-09

[9]

一种制作半导体器件的方法 [P].

赵杰 ;

宋伟基 .

中国专利 :CN104779148B ,2015-07-15

[10]

一种制作半导体器件的方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN104517884A ,2015-04-15

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