一种制作半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310190085.X

申请日：

2013-05-21

公开(公告)号：

CN104183536A

公开(公告)日：

2014-12-03

发明(设计)人：

张海洋王冬江

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-20	授权	授权
2014-12-03	公开	公开
2014-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101593521350 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201310190085X 申请日:20130521

共 50 条

[1]

一种制作半导体器件的方法 [P].

舒强 ;

郝静安 .

中国专利 :CN104517831B ,2015-04-15

[2]

制作半导体器件的方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103165461B ,2013-06-19

[3]

一种制作半导体器件的方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104241193A ,2014-12-24

[4]

一种制作半导体器件的方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103794547A ,2014-05-14

[5]

一种制作半导体器件的方法 [P].

王刚宁 ;

戴执中 ;

冯喆韻 ;

贺吉伟 ;

浦贤勇 .

中国专利 :CN104576503A ,2015-04-29

[6]

一种制作半导体器件的方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105140186A ,2015-12-09

[7]

一种制作半导体器件的方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN104517884A ,2015-04-15

[8]

一种制作半导体器件的方法 [P].

倪梁 ;

汪新学 ;

伏广才 .

中国专利 :CN105336669B ,2016-02-17

[9]

一种制作半导体器件的方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN104576505A ,2015-04-29

[10]

一种制作FinFET半导体器件的方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104347413A ,2015-02-11

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