一种制作FinFET半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310335581.X

申请日：

2013-08-02

公开(公告)号：

CN104347413A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

肖德元

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-28	授权	授权
2015-02-11	公开	公开
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601514796 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201310335581X 申请日:20130802

共 50 条

[1]

制作半导体器件的方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103165461B ,2013-06-19

[2]

一种制作半导体器件的方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN104183536A ,2014-12-03

[3]

一种FinFET半导体器件的制备方法 [P].

黄秋铭 .

中国专利 :CN105225963B ,2016-01-06

[4]

制作半导体器件的方法 [P].

高大为 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102005372A ,2011-04-06

[5]

一种制作半导体器件的方法 [P].

王刚宁 ;

戴执中 ;

冯喆韻 ;

贺吉伟 ;

浦贤勇 .

中国专利 :CN104576503A ,2015-04-29

[6]

一种制作半导体器件的方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104241193A ,2014-12-24

[7]

一种制作半导体器件的方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105140186A ,2015-12-09

[8]

一种制作半导体器件的方法 [P].

赵杰 ;

宋伟基 .

中国专利 :CN104779148B ,2015-07-15

[9]

一种制作半导体器件的方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN104517884A ,2015-04-15

[10]

一种制作半导体器件的方法 [P].

倪梁 ;

汪新学 ;

伏广才 .

中国专利 :CN105336669B ,2016-02-17

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