半导体存储装置的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611252222.8

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108269762A

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

张峰溢何建廷邹世芳李甫哲

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/8242 变更事项:申请人变更前:联华电子股份有限公司变更后:联华电子股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾新竹市新竹科学工业园区变更后:中国台湾新竹市变更事项:申请人变更前:福建省晋华集成电路有限公司变更后:福建省晋华集成电路有限公司
2019-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20161230
2021-06-08	授权	授权
2018-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

王嫈乔 ;

冯立伟 ;

何建廷 .

中国专利 :CN108389863A ,2018-08-10

[2]

半导体存储装置的制作方法 [P].

陈昱磬 ;

邹世芳 ;

游奎轩 ;

庄慧伶 .

中国专利 :CN108538788B ,2018-09-14

[3]

半导体存储装置的制作方法 [P].

冯立伟 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN109244090B ,2019-01-18

[4]

半导体存储装置的制作方法 [P].

张峰溢 ;

李甫哲 ;

蔡建成 ;

黄丰铭 ;

朱贤士 .

中国专利 :CN108269804B ,2018-07-10

[5]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

郭鹏 ;

王远保 .

中国专利 :CN114068556A ,2022-02-18

[6]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

庄连碟 ;

林荣辉 ;

李岭 ;

邓文仪 ;

郑存闵 .

中国专利 :CN114975450B ,2024-12-20

[7]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

张钦福 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN115472610A ,2022-12-13

[8]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

郭鹏 ;

王远保 .

中国专利 :CN114068556B ,2025-08-15

[9]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

张钦福 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN115472610B ,2025-09-12

[10]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

张钦福 ;

汪超 ;

童宇诚 ;

冯立伟 ;

吴家伟 .

中国专利 :CN114597175B ,2025-08-26

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