半导体存储装置的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710116637.0

申请日：

2017-03-01

公开(公告)号：

CN108538788B

公开(公告)日：

2018-09-14

发明(设计)人：

陈昱磬邹世芳游奎轩庄慧伶

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	授权	授权
2018-09-14	公开	公开
2019-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20170301
2020-09-11	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/8242 变更事项:申请人变更前:联华电子股份有限公司变更后:联华电子股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾新竹市新竹科学工业园区变更后:中国台湾新竹市变更事项:申请人变更前:福建省晋华集成电路有限公司变更后:福建省晋华集成电路有限公司

共 50 条

[1]

半导体存储装置的制作方法 [P].

冯立伟 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN109244090B ,2019-01-18

[2]

半导体存储装置的制作方法 [P].

张峰溢 ;

李甫哲 ;

蔡建成 ;

黄丰铭 ;

朱贤士 .

中国专利 :CN108269804B ,2018-07-10

[3]

半导体存储装置的制作方法 [P].

张峰溢 ;

何建廷 ;

邹世芳 ;

李甫哲 .

中国专利 :CN108269762A ,2018-07-10

[4]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

张峰溢 ;

邹世芳 ;

李甫哲 ;

蔡建成 ;

黄丰铭 .

中国专利 :CN108269805A ,2018-07-10

[5]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

王嫈乔 ;

冯立伟 ;

何建廷 .

中国专利 :CN108389863A ,2018-08-10

[6]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

王嫈乔 ;

冯立伟 ;

何建廷 ;

吕文杰 ;

刘立伟 .

中国专利 :CN108573926A ,2018-09-25

[7]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

郭鹏 ;

王远保 .

中国专利 :CN114068556A ,2022-02-18

[8]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

庄连碟 ;

林荣辉 ;

李岭 ;

邓文仪 ;

郑存闵 .

中国专利 :CN114975450B ,2024-12-20

[9]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

张钦福 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN115472610A ,2022-12-13

[10]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

郭鹏 ;

王远保 .

中国专利 :CN114068556B ,2025-08-15

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