高可靠性的蚀刻小面光子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680012475.6

申请日：

2006-02-17

公开(公告)号：

CN101160699A

公开(公告)日：

2008-04-09

发明(设计)人：

A·A·贝希尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

李玲

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101728971433 IPC(主分类):H01S 5/00 专利申请号:2006800124756 申请公布日:20080409
2008-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

高可靠性的蚀刻小面光子器件 [P].

A·A·贝希尔 .

中国专利 :CN105207053B ,2015-12-30

[2]

高可靠性上下结构的SGT器件 [P].

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN114497188B ,2025-07-15

[3]

高可靠性上下结构的SGT器件 [P].

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN114497188A ,2022-05-13

[4]

高可靠性屏蔽栅功率器件 [P].

徐真逸 ;

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN216902953U ,2022-07-05

[5]

高可靠性半导体整流器件 [P].

钱淼 ;

李飞帆 ;

邱显羣 .

中国专利 :CN216413064U ,2022-04-29

[6]

具有高可靠性的可合并半导体器件 [P].

张志宏 ;

D·J·布劳姆伯格 ;

杨洪宁 ;

左江凯 .

中国专利 :CN104518031A ,2015-04-15

[7]

高可靠性沟槽型半导体MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045511U ,2018-11-02

[8]

高可靠性耗尽型功率半导体器件 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN203013735U ,2013-06-19

[9]

高可靠性传感器 [P].

小松大贵 ;

松浦政光 ;

菅野麻央 .

美国专利 :CN119542312A ,2025-02-28

[10]

一种高可靠性光电半导体器件 [P].

石维志 ;

邓玉仓 ;

耿占峰 .

中国专利 :CN206864494U ,2018-01-09

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