高可靠性上下结构的SGT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210081782.0

申请日：

2022-01-24

公开(公告)号：

CN114497188B

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

杨飞吴凯张广银朱阳军

申请人：

江苏芯长征微电子集团股份有限公司南京芯长征科技有限公司

申请人地址：

211100 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室(江宁开发区)

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D64/27 H10D30/60

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-15	授权	授权

共 50 条

[1]

高可靠性上下结构的SGT器件 [P].

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN114497188A ,2022-05-13

[2]

高可靠性屏蔽栅功率器件 [P].

徐真逸 ;

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN216902953U ,2022-07-05

[3]

上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P].

严梅 ;

陈正嵘 ;

赵君红 ;

喻东旭 .

中国专利 :CN118116807A ,2024-05-31

[4]

高可靠性的蚀刻小面光子器件 [P].

A·A·贝希尔 .

中国专利 :CN105207053B ,2015-12-30

[5]

高可靠性的蚀刻小面光子器件 [P].

A·A·贝希尔 .

中国专利 :CN101160699A ,2008-04-09

[6]

高可靠性半导体整流器件 [P].

钱淼 ;

李飞帆 ;

邱显羣 .

中国专利 :CN216413064U ,2022-04-29

[7]

一种高可靠性功率MOSFET [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN215266309U ,2021-12-21

[8]

一种具有高可靠性封装结构的功率器件 [P].

汤佳铭 ;

毛先叶 ;

林雨晨 .

中国专利 :CN222051744U ,2024-11-22

[9]

一种高可靠性终端结构及制备方法 [P].

李娜 ;

王万 ;

柴晨凯 .

中国专利 :CN118538606A ,2024-08-23

[10]

具有高可靠性的可合并半导体器件 [P].

张志宏 ;

D·J·布劳姆伯格 ;

杨洪宁 ;

左江凯 .

中国专利 :CN104518031A ,2015-04-15

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