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一种制备高纯铜的方法及装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201410247475.0
申请日
:
2014-06-06
公开(公告)号
:
CN105132944A
公开(公告)日
:
2015-12-09
发明(设计)人
:
姜澜
付高峰
杜婷婷
李咸阳
刘龙
郑瑶
申请人
:
申请人地址
:
110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
IPC主分类号
:
C25C112
IPC分类号
:
C25C700
代理机构
:
沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107
代理人
:
韩辉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-12-09
公开
公开
2017-08-11
授权
授权
2016-01-06
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640716577 IPC(主分类):C25C 1/12 专利申请号:2014102474750 申请日:20140606
共 50 条
[1]
高纯铜的制备方法
[P].
朱刘
论文数:
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朱刘
;
朱世明
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朱世明
.
中国专利
:CN103160854A
,2013-06-19
[2]
一种高纯铜的制备方法
[P].
胡智向
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胡智向
;
朱刘
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朱刘
;
吴广杰
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吴广杰
;
贺权涛
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贺权涛
.
中国专利
:CN114525549A
,2022-05-24
[3]
一种高纯铜的制备装置
[P].
姜澜
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姜澜
;
杜婷婷
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杜婷婷
;
李咸阳
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李咸阳
;
郑瑶
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郑瑶
;
蒲正浩
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蒲正浩
;
杨浩
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杨浩
;
张志扬
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张志扬
.
中国专利
:CN203890449U
,2014-10-22
[4]
一种8N超高纯铜的制备方法
[P].
陈煜宏
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机构:
河南新国玺半导体材料有限公司
河南新国玺半导体材料有限公司
陈煜宏
;
宋保山
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机构:
河南新国玺半导体材料有限公司
河南新国玺半导体材料有限公司
宋保山
;
杨彦春
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机构:
河南新国玺半导体材料有限公司
河南新国玺半导体材料有限公司
杨彦春
.
中国专利
:CN118086979A
,2024-05-28
[5]
一种高纯铜制备方法
[P].
陈煜宏
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陈煜宏
;
宋保山
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宋保山
;
杨彦春
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杨彦春
.
中国专利
:CN115449848A
,2022-12-09
[6]
高纯镓的制备方法
[P].
朱刘
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朱刘
;
朱世明
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朱世明
.
中国专利
:CN103160856A
,2013-06-19
[7]
高纯铟的制备方法
[P].
朱刘
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朱刘
;
朱世明
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朱世明
.
中国专利
:CN103160855A
,2013-06-19
[8]
一种7N超纯铜的制备方法
[P].
常全忠
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常全忠
;
吕锦雷
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吕锦雷
;
陈文福
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陈文福
;
郭廷宏
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郭廷宏
;
杨晓艳
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杨晓艳
;
艾琳
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艾琳
;
张亚东
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张亚东
;
何艳
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何艳
.
中国专利
:CN109763140A
,2019-05-17
[9]
一种5N高纯铜的生产方法
[P].
宁万涛
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宁万涛
;
谢祥添
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谢祥添
;
左东平
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左东平
.
中国专利
:CN111378991A
,2020-07-07
[10]
一种一次电解制备5N高纯铜的方法
[P].
钟茂礼
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钟茂礼
;
周方
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周方
;
林烽先
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林烽先
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孙根荣
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孙根荣
;
吴卫煌
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吴卫煌
;
卢建丰
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卢建丰
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丘杭新
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丘杭新
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应宗波
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应宗波
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黄庆丰
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黄庆丰
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廖汉祥
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廖汉祥
;
林巧华
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林巧华
.
中国专利
:CN110387560A
,2019-10-29
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