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一种高纯铜的制备方法
被引:0
申请号
:
CN202210083479.4
申请日
:
2022-01-24
公开(公告)号
:
CN114525549A
公开(公告)日
:
2022-05-24
发明(设计)人
:
胡智向
朱刘
吴广杰
贺权涛
申请人
:
申请人地址
:
511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区
IPC主分类号
:
C25C112
IPC分类号
:
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
薛梦
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-24
公开
公开
2022-06-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C25C 1/12 申请日:20220124
共 50 条
[1]
高纯铜的制备方法
[P].
朱刘
论文数:
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朱刘
;
朱世明
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朱世明
.
中国专利
:CN103160854A
,2013-06-19
[2]
一种制备高纯铜的方法及装置
[P].
姜澜
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姜澜
;
付高峰
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付高峰
;
杜婷婷
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杜婷婷
;
李咸阳
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李咸阳
;
刘龙
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刘龙
;
郑瑶
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郑瑶
.
中国专利
:CN105132944A
,2015-12-09
[3]
一种高纯铜制备方法
[P].
陈煜宏
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陈煜宏
;
宋保山
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宋保山
;
杨彦春
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杨彦春
.
中国专利
:CN115449848A
,2022-12-09
[4]
一种高纯铜的制备装置
[P].
姜澜
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姜澜
;
杜婷婷
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杜婷婷
;
李咸阳
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李咸阳
;
郑瑶
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郑瑶
;
蒲正浩
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蒲正浩
;
杨浩
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杨浩
;
张志扬
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0
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张志扬
.
中国专利
:CN203890449U
,2014-10-22
[5]
高纯镓的制备方法
[P].
朱刘
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朱刘
;
朱世明
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朱世明
.
中国专利
:CN103160856A
,2013-06-19
[6]
高纯铟的制备方法
[P].
朱刘
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朱刘
;
朱世明
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朱世明
.
中国专利
:CN103160855A
,2013-06-19
[7]
一种8N超高纯铜的制备方法
[P].
陈煜宏
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机构:
河南新国玺半导体材料有限公司
河南新国玺半导体材料有限公司
陈煜宏
;
宋保山
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机构:
河南新国玺半导体材料有限公司
河南新国玺半导体材料有限公司
宋保山
;
杨彦春
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机构:
河南新国玺半导体材料有限公司
河南新国玺半导体材料有限公司
杨彦春
.
中国专利
:CN118086979A
,2024-05-28
[8]
一种7N超纯铜的制备方法
[P].
常全忠
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常全忠
;
吕锦雷
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吕锦雷
;
陈文福
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陈文福
;
郭廷宏
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郭廷宏
;
杨晓艳
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杨晓艳
;
艾琳
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艾琳
;
张亚东
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张亚东
;
何艳
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何艳
.
中国专利
:CN109763140A
,2019-05-17
[9]
一种5N高纯铜的生产方法
[P].
宁万涛
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宁万涛
;
谢祥添
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谢祥添
;
左东平
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左东平
.
中国专利
:CN111378991A
,2020-07-07
[10]
一种低品位黑铜高效制备高纯阴极铜的方法
[P].
蔡晋
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机构:
江西省科学院应用物理研究所
江西省科学院应用物理研究所
蔡晋
;
刘觐
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机构:
江西省科学院应用物理研究所
江西省科学院应用物理研究所
刘觐
;
易志强
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机构:
江西省科学院应用物理研究所
江西省科学院应用物理研究所
易志强
;
蔡宽飞
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机构:
江西省科学院应用物理研究所
江西省科学院应用物理研究所
蔡宽飞
;
陈昕
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机构:
江西省科学院应用物理研究所
江西省科学院应用物理研究所
陈昕
;
李样才
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机构:
江西省科学院应用物理研究所
江西省科学院应用物理研究所
李样才
.
中国专利
:CN120519919A
,2025-08-22
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