一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011269916.9

申请日：

2020-11-13

公开(公告)号：

CN112647057A

公开(公告)日：

2021-04-13

发明(设计)人：

唐明强刘厚盛崔新宇王吉强沈艳芳熊天英

申请人：

申请人地址：

110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

C23C1601

代理机构：

沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：

张志伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	公开	公开
2021-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/26 申请日:20201113

共 50 条

[1]

采用化学气相沉积工艺在硅基体上制备超厚碳化硅梯度涂层的方法 [P].

杜昊 ;

刘厚盛 ;

王吉强 ;

杨颖 ;

熊天英 .

中国专利 :CN110144567A ,2019-08-20

[2]

化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108715449B ,2018-10-30

[3]

一种基于化学气相沉积工艺制备均质碳化硅膜的方法 [P].

崔海珍 ;

吴涛 .

中国专利 :CN117966124A ,2024-05-03

[4]

一种采用化学气相沉积工艺制备非晶SiOC涂层的方法 [P].

唐明强 ;

刘厚盛 ;

崔新宇 ;

王吉强 ;

杨颖 ;

熊天英 .

中国专利 :CN113684467A ,2021-11-23

[5]

化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108546928B ,2018-09-18

[6]

化学气相沉积的碳化硅制品 [P].

M·A·皮克林 ;

J·L·特里巴 ;

K·D·莱斯 .

中国专利 :CN101429048A ,2009-05-13

[7]

一种化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 [P].

何少龙 ;

周李伟 ;

盛锋锋 ;

丁柳宁 .

中国专利 :CN115010134A ,2022-09-06

[8]

采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法 [P].

唐明强 ;

景玮晨 ;

刘厚盛 ;

崔新宇 ;

王吉强 ;

熊天英 .

中国专利 :CN117702078A ,2024-03-15

[9]

一种碳化硅纳米管的化学气相沉积制备方法 [P].

谢征芳 ;

陶德良 ;

薛金根 ;

王军 .

中国专利 :CN100424011C ,2006-08-02

[10]

多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法 [P].

成来飞 ;

张立同 ;

徐永东 ;

刘小瀛 ;

王东 .

中国专利 :CN107182242B ,2016-10-05

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