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一种基于化学气相沉积工艺制备均质碳化硅膜的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311862121.2
申请日
:
2023-12-29
公开(公告)号
:
CN117966124A
公开(公告)日
:
2024-05-03
发明(设计)人
:
崔海珍
吴涛
申请人
:
苏州精材半导体科技有限公司
北京精材半导体科技有限公司
申请人地址
:
215127 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区启明路8号综合保税区B区H厂房
IPC主分类号
:
C23C16/32
IPC分类号
:
C23C16/455
代理机构
:
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
:
逯长明;朱炎
法律状态
:
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-09
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C23C 16/32申请公布日:20240503
2024-05-21
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/32申请日:20231229
2024-05-03
公开
公开
共 50 条
[1]
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置
[P].
胡丹
论文数:
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引用数:
0
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胡丹
;
于金凤
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于金凤
;
朱刘
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0
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0
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朱刘
.
中国专利
:CN211367813U
,2020-08-28
[2]
一种化学计量碳化硅膜的制备方法
[P].
崔海珍
论文数:
0
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0
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机构:
苏州精材半导体科技有限公司
苏州精材半导体科技有限公司
崔海珍
;
吴涛
论文数:
0
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0
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0
机构:
苏州精材半导体科技有限公司
苏州精材半导体科技有限公司
吴涛
.
中国专利
:CN117987799A
,2024-05-07
[3]
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置
[P].
胡丹
论文数:
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胡丹
;
于金凤
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于金凤
;
朱刘
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朱刘
.
中国专利
:CN110644048A
,2020-01-03
[4]
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置
[P].
胡丹
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机构:
安徽中飞科技有限公司
安徽中飞科技有限公司
胡丹
;
于金凤
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机构:
安徽中飞科技有限公司
安徽中飞科技有限公司
于金凤
;
朱刘
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机构:
安徽中飞科技有限公司
安徽中飞科技有限公司
朱刘
.
中国专利
:CN110644048B
,2024-08-20
[5]
一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法
[P].
唐明强
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唐明强
;
刘厚盛
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刘厚盛
;
崔新宇
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崔新宇
;
王吉强
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王吉强
;
沈艳芳
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沈艳芳
;
熊天英
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熊天英
.
中国专利
:CN112647057A
,2021-04-13
[6]
一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置
[P].
李应新
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0
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机构:
株洲瑞德尔智能装备有限公司
株洲瑞德尔智能装备有限公司
李应新
;
袁治军
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机构:
株洲瑞德尔智能装备有限公司
株洲瑞德尔智能装备有限公司
袁治军
.
中国专利
:CN119710642A
,2025-03-28
[7]
一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积设备
[P].
朱伟
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机构:
苏州鑫睿微电子设备有限公司
苏州鑫睿微电子设备有限公司
朱伟
;
薛同磊
论文数:
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机构:
苏州鑫睿微电子设备有限公司
苏州鑫睿微电子设备有限公司
薛同磊
.
中国专利
:CN120967320A
,2025-11-18
[8]
一种化学气相沉积碳化硅的系统
[P].
吴松
论文数:
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机构:
苏州精材半导体科技有限公司
苏州精材半导体科技有限公司
吴松
.
中国专利
:CN223576589U
,2025-11-21
[9]
化学气相沉积的碳化硅制品
[P].
M·A·皮克林
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M·A·皮克林
;
J·L·特里巴
论文数:
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J·L·特里巴
;
K·D·莱斯
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0
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0
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K·D·莱斯
.
中国专利
:CN101429048A
,2009-05-13
[10]
化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置
[P].
杨泰生
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杨泰生
;
刘海林
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刘海林
;
霍艳丽
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霍艳丽
;
陈玉峰
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陈玉峰
;
唐婕
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唐婕
;
胡利明
论文数:
0
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0
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胡利明
.
中国专利
:CN108715449B
,2018-10-30
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