一种基于化学气相沉积工艺制备均质碳化硅膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311862121.2
申请日
2023-12-29
公开(公告)号
CN117966124A
公开(公告)日
2024-05-03
发明(设计)人
崔海珍 吴涛
申请人
苏州精材半导体科技有限公司 北京精材半导体科技有限公司
申请人地址
215127 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区启明路8号综合保税区B区H厂房
IPC主分类号
C23C16/32
IPC分类号
C23C16/455
代理机构
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
逯长明;朱炎
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置 [P]. 
胡丹 ;
于金凤 ;
朱刘 .
中国专利 :CN211367813U ,2020-08-28
[2]
一种化学计量碳化硅膜的制备方法 [P]. 
崔海珍 ;
吴涛 .
中国专利 :CN117987799A ,2024-05-07
[3]
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置 [P]. 
胡丹 ;
于金凤 ;
朱刘 .
中国专利 :CN110644048A ,2020-01-03
[4]
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置 [P]. 
胡丹 ;
于金凤 ;
朱刘 .
中国专利 :CN110644048B ,2024-08-20
[5]
一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法 [P]. 
唐明强 ;
刘厚盛 ;
崔新宇 ;
王吉强 ;
沈艳芳 ;
熊天英 .
中国专利 :CN112647057A ,2021-04-13
[6]
一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置 [P]. 
李应新 ;
袁治军 .
中国专利 :CN119710642A ,2025-03-28
[7]
一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积设备 [P]. 
朱伟 ;
薛同磊 .
中国专利 :CN120967320A ,2025-11-18
[8]
一种化学气相沉积碳化硅的系统 [P]. 
吴松 .
中国专利 :CN223576589U ,2025-11-21
[9]
化学气相沉积的碳化硅制品 [P]. 
M·A·皮克林 ;
J·L·特里巴 ;
K·D·莱斯 .
中国专利 :CN101429048A ,2009-05-13
[10]
化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 [P]. 
杨泰生 ;
刘海林 ;
霍艳丽 ;
陈玉峰 ;
唐婕 ;
胡利明 .
中国专利 :CN108715449B ,2018-10-30