一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921971034.X

申请日：

2019-11-14

公开(公告)号：

CN211367813U

公开(公告)日：

2020-08-28

发明(设计)人：

胡丹于金凤朱刘

申请人：

申请人地址：

511517 广东省清远市清新区禾云镇工业区(鱼坝公路旁)

IPC主分类号：

C30B2814

IPC分类号：

C30B2936 C23C16455 C23C1632

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

颜希文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	授权	授权
2022-06-24	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):C30B 28/14 合同备案号:X2022980007179 让与人:安徽中飞科技有限公司受让人:广东先导先进材料股份有限公司实用新型名称:一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置申请日:20191114 授权公告日:20200828 许可种类:普通许可备案日期:20220608
2021-07-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 28/14 登记生效日:20210715 变更事项:专利权人变更前权利人:广东先导稀材股份有限公司变更后权利人:安徽中飞科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:511517 广东省清远市清新区禾云镇工业区(鱼坝公路旁) 变更后权利人:239000 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
2023-01-20	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的注销 IPC(主分类):C30B 28/14 合同备案号:X2022980007179 让与人:安徽中飞科技有限公司受让人:广东先导先进材料股份有限公司解除日:20230103

共 50 条

[1]

一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置 [P].

胡丹 ;

于金凤 ;

朱刘 .

中国专利 :CN110644048A ,2020-01-03

[2]

一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置 [P].

胡丹 ;

于金凤 ;

朱刘 .

中国专利 :CN110644048B ,2024-08-20

[3]

一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置 [P].

崔海 ;

谢莉华 ;

卜俊恩 ;

谭思佳 ;

谢姗 .

中国专利 :CN218175207U ,2022-12-30

[4]

一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置 [P].

郭世杰 ;

李正委 .

中国专利 :CN221971736U ,2024-11-08

[5]

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P].

唐治 ;

况维维 ;

陈中 .

中国专利 :CN203890438U ,2014-10-22

[6]

一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置 [P].

李应新 ;

袁治军 .

中国专利 :CN119710642A ,2025-03-28

[7]

一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法 [P].

何翠翠 ;

潘连胜 ;

张季明 ;

高雪冬 ;

李庄 ;

韩汀钰 ;

杨睿宁 ;

刘文涛 .

中国专利 :CN120536890B ,2025-11-07

[8]

一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法 [P].

何翠翠 ;

潘连胜 ;

张季明 ;

高雪冬 ;

李庄 ;

韩汀钰 ;

杨睿宁 ;

刘文涛 .

中国专利 :CN120536890A ,2025-08-26

[9]

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置 [P].

田鹏 ;

高占成 .

中国专利 :CN209383850U ,2019-09-13

[10]

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P].

唐治 ;

况维维 ;

陈中 .

中国专利 :CN104046959B ,2014-09-17

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