一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202323579518.9

申请日：

2023-12-27

公开(公告)号：

CN221971736U

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

郭世杰李正委

申请人：

连云港龙塔研磨材料有限公司

申请人地址：

222000 江苏省连云港市海州经济开发区长江路22号

IPC主分类号：

C30B25/14

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

连云港乐诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 32430

代理人：

黄涌澜

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省连云港市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置 [P].

崔海 ;

谢莉华 ;

卜俊恩 ;

谭思佳 ;

谢姗 .

中国专利 :CN218175207U ,2022-12-30

[2]

一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置 [P].

胡丹 ;

于金凤 ;

朱刘 .

中国专利 :CN211367813U ,2020-08-28

[3]

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P].

唐治 ;

况维维 ;

陈中 .

中国专利 :CN104046959B ,2014-09-17

[4]

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P].

唐治 ;

况维维 ;

陈中 .

中国专利 :CN203890438U ,2014-10-22

[5]

化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108715449B ,2018-10-30

[6]

一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置 [P].

张建军 ;

龚越亮 ;

徐立勇 ;

冯玉兵 ;

王斌 ;

张世杰 .

中国专利 :CN222744443U ,2025-04-11

[7]

一种碳化硅化学气相沉积设备 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN204097561U ,2015-01-14

[8]

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置 [P].

田鹏 ;

高占成 .

中国专利 :CN109402604A ,2019-03-01

[9]

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置 [P].

田鹏 ;

高占成 .

中国专利 :CN209383850U ,2019-09-13

[10]

化学气相沉积的碳化硅制品 [P].

M·A·皮克林 ;

J·L·特里巴 ;

K·D·莱斯 .

中国专利 :CN101429048A ,2009-05-13

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