一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421499891.5

申请日：

2024-06-28

公开(公告)号：

CN222744443U

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

张建军龚越亮徐立勇冯玉兵王斌张世杰

申请人：

沧州华宇特种气体科技有限公司

申请人地址：

061000 河北省沧州市临港经济技术开发区东区,支二路东侧

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B25/00

代理机构：

广州中祺知力知识产权代理事务所(普通合伙) 44736

代理人：

张然

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置及方法 [P].

张建军 ;

龚越亮 ;

徐立勇 ;

冯玉兵 ;

王斌 ;

张世杰 .

中国专利 :CN118957760A ,2024-11-15

[2]

一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置 [P].

崔海 ;

谢莉华 ;

卜俊恩 ;

谭思佳 ;

谢姗 .

中国专利 :CN218175207U ,2022-12-30

[3]

一种化学气相沉积法制备碳化硅原料的方法及装置 [P].

奚衍罡 .

中国专利 :CN115650237A ,2023-01-31

[4]

一种化学气相沉积碳化硅设备 [P].

王琨 ;

司奇峰 ;

王慧 .

中国专利 :CN118639210A ,2024-09-13

[5]

一种高温化学沉积制备碳化硅单晶的装置 [P].

魏汝省 ;

李天 ;

李斌 ;

毛开礼 ;

靳霄曦 .

中国专利 :CN220503268U ,2024-02-20

[6]

一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置 [P].

郭世杰 ;

李正委 .

中国专利 :CN221971736U ,2024-11-08

[7]

一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置和方法 [P].

汤素芳 ;

庞生洋 ;

胡成龙 ;

王石军 .

中国专利 :CN108977795A ,2018-12-11

[8]

一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置 [P].

胡丹 ;

于金凤 ;

朱刘 .

中国专利 :CN211367813U ,2020-08-28

[9]

化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108715449B ,2018-10-30

[10]

一种碳化硅化学气相沉积设备 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN204097561U ,2015-01-14

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