一种化学气相沉积法制备碳化硅原料的方法及装置

被引：0

申请号：

CN202211388782.1

申请日：

2022-11-08

公开(公告)号：

CN115650237A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

奚衍罡

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市保税区科技创业园B幢308A室

IPC主分类号：

C01B32977

IPC分类号：

C30B2936 C30B3500

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	公开	公开
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/977 申请日:20221108

共 50 条

[1]

一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置及方法 [P].

张建军 ;

龚越亮 ;

徐立勇 ;

冯玉兵 ;

王斌 ;

张世杰 .

中国专利 :CN118957760A ,2024-11-15

[2]

一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置 [P].

张建军 ;

龚越亮 ;

徐立勇 ;

冯玉兵 ;

王斌 ;

张世杰 .

中国专利 :CN222744443U ,2025-04-11

[3]

一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置和方法 [P].

汤素芳 ;

庞生洋 ;

胡成龙 ;

王石军 .

中国专利 :CN108977795A ,2018-12-11

[4]

一种化学气相沉积碳化硅设备 [P].

王琨 ;

司奇峰 ;

王慧 .

中国专利 :CN118639210A ,2024-09-13

[5]

一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置 [P].

胡丹 ;

于金凤 ;

朱刘 .

中国专利 :CN211367813U ,2020-08-28

[6]

一种碳化硅化学气相沉积设备及方法 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN104233221B ,2014-12-24

[7]

化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108715449B ,2018-10-30

[8]

一种碳化硅化学气相沉积设备 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN204097561U ,2015-01-14

[9]

碳化硅化学气相沉积炉的进气装置 [P].

贺鹏博 ;

周帆 .

中国专利 :CN111560597B ,2020-08-21

[10]

一种化学气相沉积碳化硅的系统 [P].

吴松 .

中国专利 :CN223576589U ,2025-11-21

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