一种高温化学沉积制备碳化硅单晶的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202321562589.5

申请日：

2023-06-19

公开(公告)号：

CN220503268U

公开(公告)日：

2024-02-20

发明(设计)人：

魏汝省李天李斌毛开礼靳霄曦

申请人：

山西烁科晶体有限公司

申请人地址：

030000 山西省太原市综改示范区太原潇河园区汾潇街9号

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

代理机构：

北京中睿智恒知识产权代理事务所(普通合伙) 16025

代理人：

卢娇娇

法律状态：

授权

国省代码：

山西省太原市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高温化学沉积制备碳化硅单晶的装置和方法 [P].

魏汝省 ;

李斌 ;

王英民 ;

周立平 ;

毛开礼 ;

范云 ;

靳霄曦 ;

樊晓 .

中国专利 :CN112458532A ,2021-03-09

[2]

一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶 [P].

刘源 ;

梁刚强 ;

况家仪 .

中国专利 :CN119800510A ,2025-04-11

[3]

碳化硅单晶生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210856411U ,2020-06-26

[4]

一种化学气相沉积法制备碳化硅单晶的装置 [P].

张建军 ;

龚越亮 ;

徐立勇 ;

冯玉兵 ;

王斌 ;

张世杰 .

中国专利 :CN222744443U ,2025-04-11

[5]

一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶 [P].

刘源 ;

梁刚强 ;

况家仪 ;

钱昊 ;

苏奕霖 ;

陈雅薇 .

中国专利 :CN118932487A ,2024-11-12

[6]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629001A ,2019-04-16

[7]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109576792A ,2019-04-05

[8]

碳化硅单晶制造装置及碳化硅单晶的制造方法 [P].

大矢信之 .

中国专利 :CN112166210A ,2021-01-01

[9]

碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN110359087B ,2019-10-22

[10]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629000A ,2019-04-16

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