一种高温化学沉积制备碳化硅单晶的装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011373890.2

申请日：

2020-11-30

公开(公告)号：

CN112458532A

公开(公告)日：

2021-03-09

发明(设计)人：

魏汝省李斌王英民周立平毛开礼范云靳霄曦樊晓

申请人：

申请人地址：

030006 山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号

IPC主分类号：

C30B2514

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

赵晓琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/14 申请日:20201130
2021-03-09	公开	公开
2022-09-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 25/14 申请公布日:20210309

共 50 条

[1]

一种高温化学沉积制备碳化硅单晶的装置 [P].

魏汝省 ;

李天 ;

李斌 ;

毛开礼 ;

靳霄曦 .

中国专利 :CN220503268U ,2024-02-20

[2]

一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶 [P].

刘源 ;

梁刚强 ;

况家仪 .

中国专利 :CN119800510A ,2025-04-11

[3]

一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶 [P].

刘源 ;

梁刚强 ;

况家仪 ;

钱昊 ;

苏奕霖 ;

陈雅薇 .

中国专利 :CN118932487A ,2024-11-12

[4]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[5]

碳化硅单晶块的制造方法和碳化硅单晶块 [P].

谷小桃 ;

矢野孝幸 ;

藤本辰雄 ;

柘植弘志 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

关和明 .

中国专利 :CN107208311B ,2017-09-26

[6]

制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置 [P].

盐见弘 ;

西野茂弘 .

中国专利 :CN1284887C ,1999-08-18

[7]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[8]

碳化硅单晶制造装置及碳化硅单晶的制造方法 [P].

大矢信之 .

中国专利 :CN112166210A ,2021-01-01

[9]

碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN110359087B ,2019-10-22

[10]

碳化硅单晶制造方法及碳化硅单晶制造装置 [P].

榊原聪真 ;

堀合慧祥 .

日本专利 :CN120945486A ,2025-11-14

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