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一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510018546.8
申请日：
2025-01-06
公开(公告)号：
CN119800510A
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
刘源 梁刚强 况家仪
申请人：
清华大学
申请人地址：
100084 北京市海淀区清华园1号
IPC主分类号：
C30B29/36
IPC分类号：
C30B15/36
代理机构：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人：
李茂家;闫俊萍
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20250106
2025-04-11 公开 公开
共 50 条
[1]
碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P]. 
境谷省吾 .
中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02
[2]
碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P]. 
中林正史 ;
藤本辰雄 ;
胜野正和 ;
柘植弘志 .
中国专利 :CN106435733B ,2017-02-22
[3]
碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P]. 
中林正史 ;
藤本辰雄 ;
胜野正和 ;
柘植弘志 .
中国专利 :CN102187019A ,2011-09-14
[4]
碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P]. 
梅崎智典 ;
熊谷和人 ;
高野学 .
日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14
[5]
碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P]. 
别役洁 ;
星乃纪博 ;
镰田功穗 ;
土田秀一 ;
冈本武志 ;
神田贵裕 .
日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05
[6]
一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶 [P]. 
刘源 ;
梁刚强 ;
况家仪 ;
钱昊 ;
苏奕霖 ;
陈雅薇 .
中国专利 :CN118932487A ,2024-11-12
[7]
碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P]. 
榊原聪真 ;
神田贵裕 .
日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07
[8]
碳化硅单晶块的制造方法和碳化硅单晶块 [P]. 
谷小桃 ;
矢野孝幸 ;
藤本辰雄 ;
柘植弘志 ;
龟井一人 ;
楠一彦 ;
关和明 .
中国专利 :CN107208311B ,2017-09-26
[9]
碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 [P]. 
近藤宏行 ;
恩田正一 ;
木藤泰男 ;
渡边弘纪 .
中国专利 :CN105074059B ,2015-11-18
[10]
碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭 [P]. 
別役洁 ;
星乃纪博 ;
镰田功穗 ;
土田秀一 ;
堀合慧祥 ;
冈本武志 .
日本专利 :CN117822109A ,2024-04-05
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