一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920014425.6

申请日：

2019-01-05

公开(公告)号：

CN209383850U

公开(公告)日：

2019-09-13

发明(设计)人：

田鹏高占成

申请人：

申请人地址：

100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、119A、121A

IPC主分类号：

C23C1632

IPC分类号：

C23C1644 C23C16455 C23C1652

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置 [P].

田鹏 ;

高占成 .

中国专利 :CN109402604A ,2019-03-01

[2]

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备 [P].

钮应喜 ;

杨霏 ;

于坤山 .

中国专利 :CN203474963U ,2014-03-12

[3]

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P].

唐治 ;

况维维 ;

陈中 .

中国专利 :CN203890438U ,2014-10-22

[4]

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备 [P].

钮应喜 ;

杨霏 ;

于坤山 .

中国专利 :CN103603048B ,2014-02-26

[5]

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P].

唐治 ;

况维维 ;

陈中 .

中国专利 :CN104046959B ,2014-09-17

[6]

一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置 [P].

崔海 ;

谢莉华 ;

卜俊恩 ;

谭思佳 ;

谢姗 .

中国专利 :CN218175207U ,2022-12-30

[7]

一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置 [P].

胡丹 ;

于金凤 ;

朱刘 .

中国专利 :CN211367813U ,2020-08-28

[8]

一种用于生产硅外延片的化学气相沉积装置 [P].

沈恒文 ;

吉双平 ;

刘彤辉 ;

金修领 ;

郝小峰 ;

王伟康 ;

高月华 ;

程宣林 .

中国专利 :CN218059298U ,2022-12-16

[9]

一种碳化硅外延化学气相沉积系统 [P].

文成 ;

牧青 ;

李宝 .

中国专利 :CN117265650B ,2024-05-03

[10]

一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置 [P].

郭世杰 ;

李正委 .

中国专利 :CN221971736U ,2024-11-08

← 1 2 3 4 5 →