采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211087781.3

申请日：

2022-09-07

公开(公告)号：

CN117702078A

公开(公告)日：

2024-03-15

发明(设计)人：

唐明强景玮晨刘厚盛崔新宇王吉强熊天英

申请人：

中国科学院金属研究所

申请人地址：

110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

C23C16/32

IPC分类号：

C23C16/455

代理机构：

沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：

张志伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/32申请日:20220907
2024-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108546928B ,2018-09-18

[2]

多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法 [P].

成来飞 ;

张立同 ;

徐永东 ;

刘小瀛 ;

王东 .

中国专利 :CN107182242B ,2016-10-05

[3]

采用化学气相沉积工艺在硅基体上制备超厚碳化硅梯度涂层的方法 [P].

杜昊 ;

刘厚盛 ;

王吉强 ;

杨颖 ;

熊天英 .

中国专利 :CN110144567A ,2019-08-20

[4]

化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108715449B ,2018-10-30

[5]

一种多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法 [P].

何少龙 ;

丁柳宁 .

中国专利 :CN117718199A ,2024-03-19

[6]

化学气相沉积的碳化硅制品 [P].

M·A·皮克林 ;

J·L·特里巴 ;

K·D·莱斯 .

中国专利 :CN101429048A ,2009-05-13

[7]

一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积炉 [P].

陈浩纯 ;

魏璐 ;

郭勇 ;

赵江鹏 ;

许学亮 .

中国专利 :CN223118543U ,2025-07-18

[8]

一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法 [P].

唐明强 ;

刘厚盛 ;

崔新宇 ;

王吉强 ;

沈艳芳 ;

熊天英 .

中国专利 :CN112647057A ,2021-04-13

[9]

一种化学气相沉积制备高纯碳化硅的方法 [P].

万烨 ;

陈辉 ;

张邦洁 ;

常卓明 ;

严大洲 .

中国专利 :CN117966264A ,2024-05-03

[10]

一种化学气相沉积制备高纯碳化硅的方法 [P].

万烨 ;

陈辉 ;

张邦洁 ;

常卓明 ;

严大洲 .

中国专利 :CN117966264B ,2024-12-13

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