一种化学气相沉积制备高纯碳化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410150732.2

申请日：

2024-02-02

公开(公告)号：

CN117966264B

公开(公告)日：

2024-12-13

发明(设计)人：

万烨陈辉张邦洁常卓明严大洲

申请人：

洛阳中硅高科技有限公司

申请人地址：

471000 河南省洛阳市孟津区先进制造业开发区华夏大道101号

IPC主分类号：

C30B25/14

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

唐正瑜

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-13	授权	授权
2024-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/14申请日:20240202
2024-05-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种化学气相沉积制备高纯碳化硅的方法 [P].

万烨 ;

陈辉 ;

张邦洁 ;

常卓明 ;

严大洲 .

中国专利 :CN117966264A ,2024-05-03

[2]

一种超高纯碳化硅化学气相沉积设备 [P].

胡晓文 ;

王欣 ;

鲁春茂 .

中国专利 :CN223255419U ,2025-08-22

[3]

化学气相沉积的碳化硅制品 [P].

M·A·皮克林 ;

J·L·特里巴 ;

K·D·莱斯 .

中国专利 :CN101429048A ,2009-05-13

[4]

化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108715449B ,2018-10-30

[5]

多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法 [P].

成来飞 ;

张立同 ;

徐永东 ;

刘小瀛 ;

王东 .

中国专利 :CN107182242B ,2016-10-05

[6]

一种化学气相沉积碳化硅设备 [P].

王琨 ;

司奇峰 ;

王慧 .

中国专利 :CN118639210A ,2024-09-13

[7]

一种碳化硅化学气相沉积设备 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN204097561U ,2015-01-14

[8]

化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108546928B ,2018-09-18

[9]

一种化学气相沉积碳化硅的系统 [P].

吴松 .

中国专利 :CN223576589U ,2025-11-21

[10]

采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法 [P].

唐明强 ;

景玮晨 ;

刘厚盛 ;

崔新宇 ;

王吉强 ;

熊天英 .

中国专利 :CN117702078A ,2024-03-15

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