能够抑制晶体管特性退化的制造双极晶体管的方法

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专利类型
发明
申请号
CN99103424.4
申请日
1999-03-30
公开(公告)号
CN1129174C
公开(公告)日
1999-10-06
发明(设计)人
上田裕
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L21331
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
穆德骏;余朦
法律状态
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
国省代码
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共 50 条
[31]
双极晶体管 [P]. 
高桥新之助 .
中国专利 :CN111384161A ,2020-07-07
[32]
双极晶体管 [P]. 
A·高蒂尔 ;
P·舍瓦利耶 .
法国专利 :CN111009574B ,2024-01-30
[33]
双极晶体管 [P]. 
朱丽霞 ;
张帅 .
中国专利 :CN102130151B ,2011-07-20
[34]
双极晶体管 [P]. 
托尼·范胡克 ;
维特·桑迪·恩 ;
皮特鲁斯·H·C·马涅 ;
蓬奇·伊沃 ;
迪克·克拉森 ;
马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 .
中国专利 :CN105428402A ,2016-03-23
[35]
双极晶体管 [P]. 
A·高蒂尔 ;
P·舍瓦利耶 .
中国专利 :CN111009572A ,2020-04-14
[36]
双极晶体管 [P]. 
A·高蒂尔 ;
P·舍瓦利耶 .
法国专利 :CN117912945A ,2024-04-19
[37]
双极晶体管 [P]. 
A·高蒂尔 ;
P·舍瓦利耶 .
中国专利 :CN210723037U ,2020-06-09
[38]
双极晶体管 [P]. 
W·A·拉尼 ;
A·D·贝因 ;
D·F·鲍尔斯 ;
P·M·达利 ;
A·M·德格纳恩 ;
M·T·邓巴 ;
P·M·迈克古尼斯 ;
B·P·斯坦森 .
中国专利 :CN102668087A ,2012-09-12
[39]
双极晶体管 [P]. 
A·高蒂尔 ;
P·舍瓦利耶 .
中国专利 :CN111009574A ,2020-04-14
[40]
双极晶体管以及包含该双极晶体管的电子装置 [P]. 
约翰·K·特怀纳姆 .
中国专利 :CN100365825C ,2005-08-17