能够抑制晶体管特性退化的制造双极晶体管的方法

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专利类型
发明
申请号
CN99103424.4
申请日
1999-03-30
公开(公告)号
CN1129174C
公开(公告)日
1999-10-06
发明(设计)人
上田裕
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L21331
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
穆德骏;余朦
法律状态
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
国省代码
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共 50 条
[21]
制造双极晶体管的方法 [P]. 
约翰内斯·J·T·M·东科尔斯 ;
埃尔文·海曾 ;
韦伯·D·范诺尔特 .
中国专利 :CN101238558B ,2008-08-06
[22]
制造双极晶体管的方法 [P]. 
E·布雷扎 ;
A·高蒂尔 .
:CN119767699A ,2025-04-04
[23]
制造双极晶体管的方法 [P]. 
菲利皮·默尼耶-贝亚尔 ;
埃尔文·海曾 ;
约翰内斯·J·T·M·东科尔斯 ;
弗朗索瓦·纳耶 .
中国专利 :CN100565822C ,2008-05-14
[24]
晶体管和晶体管的制造方法 [P]. 
辻幸洋 .
日本专利 :CN118693041A ,2024-09-24
[25]
制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管 [P]. 
E·布雷扎 ;
A·高蒂尔 ;
F·德普拉 ;
P·舍瓦利耶 .
中国专利 :CN113327853A ,2021-08-31
[26]
隔离的CMOS晶体管和双极晶体管、隔离结构及其制造方法 [P]. 
唐纳德.R.迪斯尼 ;
理查德.K.威廉斯 .
中国专利 :CN105206560B ,2015-12-30
[27]
双极晶体管 [P]. 
A·高蒂尔 ;
P·舍瓦利耶 .
中国专利 :CN210723039U ,2020-06-09
[28]
双极晶体管 [P]. 
西井雅晴 ;
栗原一夫 .
中国专利 :CN86100522A ,1986-09-10
[29]
双极晶体管 [P]. 
P·舍瓦利耶 ;
N·古塔尔德 .
:CN118824951A ,2024-10-22
[30]
双极晶体管 [P]. 
赵传珍 ;
杨博翔 .
中国专利 :CN111223921A ,2020-06-02