半桥式功率半导体模块及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580075987.6

申请日：

2015-02-13

公开(公告)号：

CN107210290A

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

谷本智

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2518

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

岳雪兰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-30	授权	授权
2017-09-26	公开	公开
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20150213

共 50 条

[1]

半桥功率半导体模块及其制造方法 [P].

谷本智 .

中国专利 :CN107155372B ,2017-09-12

[2]

半桥式功率半导体模块及其制造方法 [P].

谷本智 .

中国专利 :CN106489203B ,2017-03-08

[3]

半桥功率半导体模块 [P].

汤翔 ;

邹淅 ;

秦光远 ;

董国忠 ;

石廷昌 ;

常桂钦 ;

肖强 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN309422223S ,2025-08-05

[4]

功率半导体模块及半桥功率模块 [P].

胡豹 ;

钱弈晨 ;

张林 .

中国专利 :CN221614839U ,2024-08-27

[5]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

井川修 ;

望月英司 ;

早乙女全纪 ;

有川典男 .

中国专利 :CN1753177A ,2006-03-29

[6]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

李硕浩 ;

赵俊亨 ;

朴成根 .

中国专利 :CN105047650A ,2015-11-11

[7]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

R·波普 .

中国专利 :CN101026146A ,2007-08-29

[8]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

高山 ;

崔硕文 ;

金泰贤 ;

洪周杓 ;

张范植 ;

朴志贤 .

中国专利 :CN101958307B ,2011-01-26

[9]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

碓井修 ;

吉松直树 ;

菊池正雄 .

中国专利 :CN103219301A ,2013-07-24

[10]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

C·施魏克特 ;

J·赫格尔 ;

O·霍尔菲尔德 ;

W·雅各比 .

中国专利 :CN111799250A ,2020-10-20

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