一种MOS场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010102696.0

申请日：

2010-01-28

公开(公告)号：

CN102142458A

公开(公告)日：

2011-08-03

发明(设计)人：

陈大鹏梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2951

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

张磊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-05	授权	授权
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113517852 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101026960 申请日:20100128

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

久保昌彦 .

中国专利 :CN103681857A ,2014-03-26

[2]

沟槽MOS场效应晶体管 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342640U ,2021-01-12

[3]

矩阵型MOS场效应晶体管 [P].

金炎 .

中国专利 :CN102623496A ,2012-08-01

[4]

一种MOS场效应晶体管 [P].

李宗宇 ;

陈娟 ;

吴志成 .

中国专利 :CN117525152B ,2024-04-12

[5]

一种MOS场效应晶体管 [P].

付建峰 ;

项继超 ;

伏榕 .

中国专利 :CN222928732U ,2025-05-30

[6]

一种MOS场效应晶体管 [P].

肖韩 ;

陆梅君 ;

田意 ;

董业民 ;

高腾 ;

陈弼梅 .

中国专利 :CN107516677A ,2017-12-26

[7]

一种MOS场效应晶体管 [P].

肖韩 ;

陆梅君 ;

田意 ;

董业民 ;

高腾 ;

陈弼梅 .

中国专利 :CN205828395U ,2016-12-21

[8]

一种MOS场效应晶体管 [P].

李宗宇 ;

陈娟 ;

吴志成 .

中国专利 :CN117525152A ,2024-02-06

[9]

场效应晶体管 [P].

吴同飞 .

中国专利 :CN119653837A ,2025-03-18

[10]

场效应晶体管器件 [P].

王明湘 ;

陈乐凯 ;

张冬利 ;

王槐生 .

中国专利 :CN115775827B ,2025-06-17

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