矩阵型MOS场效应晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110037139.X
申请日
2011-01-27
公开(公告)号
CN102623496A
公开(公告)日
2012-08-01
发明(设计)人
金炎
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L29423 H01L2906 H01L2908
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
李湘;高为
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽MOS场效应晶体管 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN212342640U ,2021-01-12
[2]
场效应晶体管 [P]. 
吴同飞 .
中国专利 :CN119653837A ,2025-03-18
[3]
一种MOS场效应晶体管 [P]. 
陈大鹏 ;
梁擎擎 .
中国专利 :CN102142458A ,2011-08-03
[4]
直列式MOS场效应晶体管 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN212517181U ,2021-02-09
[5]
场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P]. 
卢年端 ;
揣喜臣 ;
杨冠华 ;
李泠 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26
[6]
场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P]. 
揣喜臣 ;
卢年端 ;
杨冠华 ;
李泠 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09
[7]
场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P]. 
徐慧龙 ;
秦旭东 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31
[8]
场效应晶体管 [P]. 
G·恩德斯 ;
B·菲斯彻 ;
H·施内德 ;
P·沃伊特 .
中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27
[9]
场效应晶体管 [P]. 
竹中功 ;
麻埜和则 ;
石仓幸治 .
中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24
[10]
场效应晶体管 [P]. 
坂直树 ;
冈元大作 ;
田中秀树 .
中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25