直列式MOS场效应晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021728319.3

申请日：

2020-08-18

公开(公告)号：

CN212517181U

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

张开航马云洋

申请人：

申请人地址：

215011 江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼

IPC主分类号：

H01L23373

IPC分类号：

H01L23367 H01L2349 H01L2507

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种直列式MOS场效应晶体管 [P].

张泽华 .

中国专利 :CN216213402U ,2022-04-05

[2]

沟槽MOS场效应晶体管 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342640U ,2021-01-12

[3]

阵列式场效应晶体管 [P].

何军 .

中国专利 :CN102024824A ,2011-04-20

[4]

一种MOS场效应晶体管 [P].

肖韩 ;

陆梅君 ;

田意 ;

董业民 ;

高腾 ;

陈弼梅 .

中国专利 :CN205828395U ,2016-12-21

[5]

矩阵型MOS场效应晶体管 [P].

金炎 .

中国专利 :CN102623496A ,2012-08-01

[6]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[7]

场效应晶体管 [P].

竹中功 ;

麻埜和则 ;

石仓幸治 .

中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24

[8]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[9]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

[10]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

← 1 2 3 4 5 →