一种直列式MOS场效应晶体管

被引：0

申请号：

CN202122630949.8

申请日：

2021-10-30

公开(公告)号：

CN216213402U

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

张泽华

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502

IPC主分类号：

H01L2340

IPC分类号：

H01L23367

代理机构：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

直列式MOS场效应晶体管 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517181U ,2021-02-09

[2]

一种MOS场效应晶体管 [P].

肖韩 ;

陆梅君 ;

田意 ;

董业民 ;

高腾 ;

陈弼梅 .

中国专利 :CN205828395U ,2016-12-21

[3]

沟槽MOS场效应晶体管 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342640U ,2021-01-12

[4]

一种MOS场效应晶体管 [P].

李宗宇 ;

陈娟 ;

吴志成 .

中国专利 :CN117525152B ,2024-04-12

[5]

一种MOS场效应晶体管 [P].

肖韩 ;

陆梅君 ;

田意 ;

董业民 ;

高腾 ;

陈弼梅 .

中国专利 :CN107516677A ,2017-12-26

[6]

一种MOS场效应晶体管 [P].

李宗宇 ;

陈娟 ;

吴志成 .

中国专利 :CN117525152A ,2024-02-06

[7]

一种MOS场效应晶体管 [P].

陈大鹏 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102142458A ,2011-08-03

[8]

一种MOS场效应晶体管 [P].

付建峰 ;

项继超 ;

伏榕 .

中国专利 :CN222928732U ,2025-05-30

[9]

阵列式场效应晶体管 [P].

何军 .

中国专利 :CN102024824A ,2011-04-20

[10]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

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