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一种MOS场效应晶体管
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410008516.4
申请日：
2024-01-04
公开(公告)号：
CN117525152A
公开(公告)日：
2024-02-06
发明(设计)人：
李宗宇
陈娟
吴志成
申请人：
江西联创特种微电子有限公司
申请人地址：
330000 江西省南昌市青山湖区罗家镇七四六厂内
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L23/04
B08B1/12
B08B1/30
B08B1/54
代理机构：
南昌贤达专利代理事务所(普通合伙) 36136
代理人：
张文宣
法律状态：
公开
国省代码：
江西省
南昌市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-06 | 公开 | 公开 |
| 2024-02-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240104 |
| 2024-04-12 | 授权 | 授权 |
| 2025-11-07 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 29/78变更事项:专利权人变更前:江西联创特种微电子有限公司变更后:特微新技术集团有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:330000 江西省南昌市青山湖区罗家镇七四六厂内变更后:330000 江西省南昌市青山湖区罗家镇七四六厂内 |