半导体接触窗结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810135589.0

申请日：

2008-09-05

公开(公告)号：

CN101414598B

公开(公告)日：

2009-04-22

发明(设计)人：

余振华邱文智涂宏荣吴文进

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

章社杲;吴贵明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-22	公开	公开
2011-04-20	授权	授权
2009-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体接触结构 [P].

维克托·西佐夫 .

中国专利 :CN113555423A ,2021-10-26

[2]

接触窗结构、金属插塞及其形成方法、半导体结构 [P].

刘杰 ;

吴秉桓 ;

应战 .

中国专利 :CN114256136B ,2024-03-26

[3]

接触窗结构、金属插塞及其形成方法、半导体结构 [P].

刘杰 ;

吴秉桓 ;

应战 .

中国专利 :CN114256136A ,2022-03-29

[4]

具有波状接触窗轮廓的半导体装置 [P].

游佳达 ;

黄彦杰 ;

吕伟元 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN111223935A ,2020-06-02

[5]

半导体装置与半导体结构 [P].

萧琮介 ;

王良玮 ;

陈殿豪 ;

文克刚 .

中国专利 :CN221102074U ,2024-06-07

[6]

包括接触结构的半导体装置 [P].

尹灿植 ;

李基硕 ;

金廷泫 ;

朴济民 .

中国专利 :CN108987397A ,2018-12-11

[7]

包含接触结构的半导体装置 [P].

全辉璨 ;

金昶和 ;

河大元 .

中国专利 :CN107731921B ,2018-02-23

[8]

第三代半导体接触窗结构及其制造方法 [P].

陈正培 ;

徐文凯 ;

柴佳欣 .

中国专利 :CN114551340A ,2022-05-27

[9]

第三代半导体接触窗结构及其制造方法 [P].

陈正培 ;

徐文凯 ;

柴佳欣 .

中国专利 :CN114551340B ,2025-06-13

[10]

金属半导体接触结构及半导体器件的制造方法 [P].

李翔 ;

勇越 ;

谢志平 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN117650044A ,2024-03-05

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