一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410605149.2

申请日：

2014-10-30

公开(公告)号：

CN104409321A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

平云霞侯春雷

申请人：

申请人地址：

201620 上海市松江区龙腾路333号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258

代理人：

何葆芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604804331 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014106051492 申请日:20141030
2015-03-11	公开	公开
2017-05-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法 [P].

平云霞 ;

侯春雷 .

中国专利 :CN104392915B ,2015-03-04

[2]

一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

薛忠营 ;

王曦 .

中国专利 :CN102468123A ,2012-05-23

[3]

一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

薛忠营 ;

王曦 .

中国专利 :CN102468124A ,2012-05-23

[4]

一种制作NiGeSn材料的方法 [P].

平云霞 ;

孟骁然 .

中国专利 :CN105551938A ,2016-05-04

[5]

GeSn合金的外延生长方法 [P].

成步文 ;

薛春来 ;

左玉华 ;

汪巍 ;

胡炜玄 ;

苏少坚 ;

白安琪 ;

薛海韵 .

中国专利 :CN101928990A ,2010-12-29

[6]

使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置 [P].

冈部晃 ;

森义信 .

中国专利 :CN105190841B ,2015-12-23

[7]

一种基于锑化物材料选区外延生长的外延片生长方法 [P].

丁颖 ;

倪海桥 ;

雷玉新 ;

赵涛 .

中国专利 :CN114864618A ,2022-08-05

[8]

使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置 [P].

冈部晃 ;

森义信 .

中国专利 :CN107523860A ,2017-12-29

[9]

使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置 [P].

冈部晃 ;

森义信 .

中国专利 :CN112981525A ,2021-06-18

[10]

使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置 [P].

冈部晃 ;

森义信 .

中国专利 :CN110067021A ,2019-07-30

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