一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010532645.1

申请日：

2010-11-04

公开(公告)号：

CN102468124A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

张苗张波薛忠营王曦

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2128 H01L21283 C30B2518 C30B3302

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101714361283 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105326451 申请公布日:20120523
2012-05-23	公开	公开
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282311013 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105326451 申请日:20101104

共 50 条

[1]

一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

薛忠营 ;

王曦 .

中国专利 :CN102468123A ,2012-05-23

[2]

一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法 [P].

张波 ;

侯春雷 ;

狄增峰 ;

张苗 ;

赵清太 .

中国专利 :CN104752182A ,2015-07-01

[3]

一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法 [P].

平云霞 ;

侯春雷 .

中国专利 :CN104409321A ,2015-03-11

[4]

一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法 [P].

张波 ;

侯春雷 ;

孟骁然 ;

狄增峰 ;

张苗 .

中国专利 :CN105448690B ,2016-03-30

[5]

一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法 [P].

韩军 ;

崔博垚 ;

邢艳辉 ;

赵佳豪 .

中国专利 :CN110429019B ,2019-11-08

[6]

外延生长装置及其生长外延层的方法 [P].

雷鹏 ;

柳鹏 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN108930061B ,2018-12-04

[7]

外延生长层的制造方法 [P].

F·勒泰特 ;

B·富尔 .

中国专利 :CN100393922C ,2006-08-30

[8]

制造外延生长层的方法 [P].

B·富尔 ;

L·迪乔奇欧 .

中国专利 :CN100415947C ,2006-08-30

[9]

外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置 [P].

张磊 ;

董信国 ;

储郁冬 ;

贾超超 .

中国专利 :CN118685855A ,2024-09-24

[10]

一种外延层的横向外延生长方法 [P].

温瑞涛 ;

张亦文 ;

朱莹 ;

李博文 .

中国专利 :CN117385454A ,2024-01-12

← 1 2 3 4 5 →