一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410415714.9

申请日：

2014-08-22

公开(公告)号：

CN105448690B

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

张波侯春雷孟骁然狄增峰张苗

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657716925 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014104157149 申请日:20140822
2016-03-30	公开	公开
2018-10-26	授权	授权

共 50 条

[1]

利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法 [P].

张波 ;

孟骁然 ;

俞文杰 ;

狄增峰 ;

张苗 .

中国专利 :CN106711019B ,2017-05-24

[2]

一种带有石墨盘的半导体材料外延生长装置 [P].

封景隆 ;

迟振彬 ;

刘志学 .

中国专利 :CN222499464U ,2025-02-18

[3]

一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘 [P].

刘建庆 ;

文宏 ;

刘雪珍 ;

高熙隆 ;

肖林林 ;

丁杰 ;

杨溢 .

中国专利 :CN109183001A ,2019-01-11

[4]

一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘 [P].

刘建庆 ;

文宏 ;

刘雪珍 ;

高熙隆 ;

肖林林 ;

丁杰 ;

杨溢 .

中国专利 :CN209243171U ,2019-08-13

[5]

降低半导体材料背景掺杂的外延生长方法 [P].

杨秋旻 ;

关敏 ;

刘兴昉 ;

曾一平 .

中国专利 :CN119028813A ,2024-11-26

[6]

石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN105845543A ,2016-08-10

[7]

一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

薛忠营 ;

王曦 .

中国专利 :CN102468124A ,2012-05-23

[8]

在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯 [P].

聂东 ;

王定官 ;

范津维 ;

何家源 ;

林浩 ;

陈建业 ;

胡静怡 ;

许凯东 .

中国专利 :CN120288759A ,2025-07-11

[9]

在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯 [P].

聂东 ;

王定官 ;

范津维 ;

何家源 ;

林浩 ;

陈建业 ;

胡静怡 ;

许凯东 .

中国专利 :CN120288759B ,2025-09-02

[10]

一种氮化物半导体材料的外延生长方法 [P].

陈一仁 ;

周星宇 ;

张志伟 ;

宋航 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

李志明 .

中国专利 :CN112820626A ,2021-05-18

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