反应腔室和半导体加工设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410732563.X
申请日
2014-12-05
公开(公告)号
CN105719929A
公开(公告)日
2016-06-29
发明(设计)人
蒲春
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01J3732
IPC分类号
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
彭瑞欣;张天舒
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
反应腔室和半导体加工设备 [P]. 
王伟 .
中国专利 :CN109994356A ,2019-07-09
[2]
反应腔室和半导体加工设备 [P]. 
王文章 ;
陈鹏 .
中国专利 :CN108735622B ,2018-11-02
[3]
内衬、反应腔室和半导体加工设备 [P]. 
王志伟 .
中国专利 :CN112017933A ,2020-12-01
[4]
内衬、反应腔室和半导体加工设备 [P]. 
王志伟 .
中国专利 :CN112017933B ,2024-03-26
[5]
半导体加工反应腔室及半导体加工设备 [P]. 
田才忠 ;
李士昌 ;
贾海立 .
中国专利 :CN217485404U ,2022-09-23
[6]
半导体反应腔室及半导体加工设备 [P]. 
刘建 .
中国专利 :CN111968901B ,2022-08-16
[7]
反应腔室及半导体加工设备 [P]. 
侯珏 .
中国专利 :CN109300764A ,2019-02-01
[8]
反应腔室及半导体加工设备 [P]. 
彭宇霖 .
中国专利 :CN106611693A ,2017-05-03
[9]
反应腔室及半导体加工设备 [P]. 
徐悦 .
中国专利 :CN111081589A ,2020-04-28
[10]
反应腔室以及半导体加工设备 [P]. 
余志龙 .
中国专利 :CN106548959B ,2017-03-29