一种g-C3N4/g-C3N4无金属同质异构结的制备方法及所得产品和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711462847.1

申请日：

2017-12-28

公开(公告)号：

CN108126728B

公开(公告)日：

2018-06-08

发明(设计)人：

杨萍刘志国

申请人：

申请人地址：

250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

IPC主分类号：

B01J2724

IPC分类号：

B01J3502 B01J3510 C01B304 B82Y4000 B82Y3000 C02F130 C02F10130 C02F10138 C02F10134

代理机构：

济南泉城专利商标事务所 37218

代理人：

贾波

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

g-C3N4及其制备方法和应用 [P].

周升 ;

舒歌平 ;

杨葛灵 ;

章序文 ;

高山松 ;

王洪学 .

中国专利 :CN111992234A ,2020-11-27

[2]

多孔g-C3N4半导体材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

蔡奇风 ;

沈建超 ;

冯宇 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104310321A ,2015-01-28

[3]

一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用 [P].

薛健 ;

周燚洒 ;

张娅 .

中国专利 :CN112897484A ,2021-06-04

[4]

蒸汽辅助制备g-C3N4纳米片的方法 [P].

舒杼 ;

谭义根 ;

周俊 .

中国专利 :CN110745793A ,2020-02-04

[5]

一种g-C3N4/ZnO复合空心微球的制备方法 [P].

宋彩霞 ;

王德宝 ;

裴存宝 ;

韩朝辉 ;

舒展 .

中国专利 :CN108722466A ,2018-11-02

[6]

一种g-C3N4量子点及其制备方法 [P].

徐本花 ;

张鹏 ;

景岩 ;

王坤杰 ;

柳仙蓉 .

中国专利 :CN113980677A ,2022-01-28

[7]

FeS2/g-C3N4异质结材料的制备方法及其应用 [P].

李莉 ;

赵志伟 ;

袁艺鸣 ;

张赛 ;

黄俊 ;

代勤 .

中国专利 :CN110075896B ,2019-08-02

[8]

一种g-C3N4晶相/非晶相同质结及其制备方法和应用 [P].

杨萍 ;

宋玉祥 .

中国专利 :CN109534307B ,2019-03-29

[9]

InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104307550A ,2015-01-28

[10]

一种Pt/g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111082083A ,2020-04-28

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-26	授权	授权
2018-06-08	公开	公开
2018-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 27/24 申请日:20171228