一种g-C3N4量子点及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111242351.X

申请日：

2021-10-25

公开(公告)号：

CN113980677A

公开(公告)日：

2022-01-28

发明(设计)人：

徐本花张鹏景岩王坤杰柳仙蓉

申请人：

申请人地址：

810016 青海省西宁市城北区宁大路253号

IPC主分类号：

C09K1165

IPC分类号：

B82Y2000 B82Y4000 C01B21082

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

崔方方

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/65 申请日:20211025
2022-01-28	公开	公开

共 50 条

[1]

g-C3N4及其制备方法和应用 [P].

周升 ;

舒歌平 ;

杨葛灵 ;

章序文 ;

高山松 ;

王洪学 .

中国专利 :CN111992234A ,2020-11-27

[2]

多孔g-C3N4半导体材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

蔡奇风 ;

沈建超 ;

冯宇 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104310321A ,2015-01-28

[3]

一种笼状结构材料g-C3N4的制备方法及其应用 [P].

汤杰 ;

陆海孟 ;

赵兵 ;

周军 ;

许波连 ;

范以宁 .

中国专利 :CN108033432A ,2018-05-15

[4]

InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104307550A ,2015-01-28

[5]

g-C3N4溶胶的制备方法 [P].

申乾宏 ;

王辉 ;

庞雅 ;

盛建松 ;

吴春春 ;

徐江 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107954405A ,2018-04-24

[6]

三维多孔g-C3N4材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104292236A ,2015-01-21

[7]

一种介孔超薄g-C3N4光催化纳米片及其制备方法 [P].

李新海 ;

杨晓龙 ;

汪妍 .

中国专利 :CN111097472B ,2020-05-05

[8]

一种Pt/g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111082083A ,2020-04-28

[9]

一种g-C3N4/g-C3N4无金属同质异构结的制备方法及所得产品和应用 [P].

杨萍 ;

刘志国 .

中国专利 :CN108126728B ,2018-06-08

[10]

FeS2/g-C3N4异质结材料的制备方法及其应用 [P].

李莉 ;

赵志伟 ;

袁艺鸣 ;

张赛 ;

黄俊 ;

代勤 .

中国专利 :CN110075896B ,2019-08-02

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