一种笼状结构材料g-C3N4的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711302509.1

申请日：

2017-12-11

公开(公告)号：

CN108033432A

公开(公告)日：

2018-05-15

发明(设计)人：

汤杰陆海孟赵兵周军许波连范以宁

申请人：

申请人地址：

211400 江苏省扬州市化学工业园区中央大道9号

IPC主分类号：

C01B21082

IPC分类号：

B01J2724 B01J3502

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司 11278

代理人：

李海燕

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-15	公开	公开
2021-05-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B 21/082 申请公布日:20180515

共 50 条

[1]

g-C3N4及其制备方法和应用 [P].

周升 ;

舒歌平 ;

杨葛灵 ;

章序文 ;

高山松 ;

王洪学 .

中国专利 :CN111992234A ,2020-11-27

[2]

一种不规则棒状g-C3N4材料及其制备方法和应用 [P].

谈玲华 ;

郏永强 ;

徐建华 ;

杭祖圣 ;

寇波 ;

吴琼 ;

陈宇 ;

吕静 .

中国专利 :CN105271142A ,2016-01-27

[3]

一种g-C3N4量子点及其制备方法 [P].

徐本花 ;

张鹏 ;

景岩 ;

王坤杰 ;

柳仙蓉 .

中国专利 :CN113980677A ,2022-01-28

[4]

InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104307550A ,2015-01-28

[5]

三维多孔g-C3N4材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104292236A ,2015-01-21

[6]

多孔g-C3N4半导体材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

蔡奇风 ;

沈建超 ;

冯宇 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104310321A ,2015-01-28

[7]

FeS2/g-C3N4异质结材料的制备方法及其应用 [P].

李莉 ;

赵志伟 ;

袁艺鸣 ;

张赛 ;

黄俊 ;

代勤 .

中国专利 :CN110075896B ,2019-08-02

[8]

一种制备WO3/g-C3N4复合光催化材料的方法 [P].

柴波 ;

王敏 ;

任占冬 ;

朱玉婵 .

中国专利 :CN105536839A ,2016-05-04

[9]

一种g-C3N4/g-C3N4无金属同质异构结的制备方法及所得产品和应用 [P].

杨萍 ;

刘志国 .

中国专利 :CN108126728B ,2018-06-08

[10]

TiO2/多孔g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

沈建超 ;

申乾宏 ;

杨辉 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104209136A ,2014-12-17

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