一种CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111423611.3

申请日：

2021-11-26

公开(公告)号：

CN114107945A

公开(公告)日：

2022-03-01

发明(设计)人：

马淑芳黄彪刘松

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央大学园区

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C1602 C23C1644 C23C1416 C23C1458 C23C2800 H01L2102 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

梁静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20211126
2022-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用 [P].

马淑芳 ;

刘松 ;

黄鑫 ;

许并社 ;

黄彪 ;

李磊 ;

徐超明 ;

欧阳辉灿 .

中国专利 :CN113652670A ,2021-11-16

[2]

γ相氧化镓纳米片的制备方法、γ相氧化镓纳米片及其应用 [P].

赵维巍 ;

高开正 ;

刘飞华 .

中国专利 :CN118851248A ,2024-10-29

[3]

纳米级氧化镓薄膜及其制备方法和应用 [P].

侯小虎 ;

李为一 ;

薄竣魁 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN120818822A ,2025-10-21

[4]

一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用 [P].

滕越 ;

聂元弘 ;

吴自强 ;

王缔 ;

张红 ;

谢恒 ;

励刚 ;

陈国宏 ;

徐斌 ;

刘鑫 ;

汤伟 ;

丁津津 ;

夏鹏 ;

谢毓广 .

中国专利 :CN118684262A ,2024-09-24

[5]

一种单晶氧化镓薄膜及其制备方法和应用 [P].

马淑芳 ;

王嘉惠 ;

程睿思 ;

韩诗佳 ;

韩柯 ;

芦荟荟 ;

刘欣怡 ;

许并社 .

中国专利 :CN121023634A ,2025-11-28

[6]

一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用 [P].

贾伟 ;

任恒磊 ;

贾凯达 ;

翟光美 ;

董海亮 ;

许并社 .

中国专利 :CN117457497A ,2024-01-26

[7]

一种P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用 [P].

季枫 ;

王相虎 ;

施华 .

中国专利 :CN119351964A ,2025-01-24

[8]

一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法 [P].

方志来 ;

吴征远 ;

蒋卓汛 .

中国专利 :CN109056057B ,2018-12-21

[9]

氧化镓纳米管及其制备方法和应用 [P].

马永健 ;

张晓东 ;

李军帅 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112875742A ,2021-06-01

[10]

氧化镓纳米结构器件及其制备方法和应用 [P].

张晓东 ;

唐文博 ;

何涛 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN113702447A ,2021-11-26

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