γ相氧化镓纳米片的制备方法、γ相氧化镓纳米片及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410839590.0

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN118851248A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

赵维巍高开正刘飞华

申请人：

哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区

IPC主分类号：

C01G15/00

IPC分类号：

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

富丽娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省威海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 15/00申请日:20240626
2024-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法 [P].

康黎星 ;

刘帅 ;

张蓉 ;

李清文 .

中国专利 :CN116024545B ,2025-09-09

[2]

一种氧化镓纳米片的制备方法及电极片 [P].

崔正星 .

中国专利 :CN117023630B ,2025-10-10

[3]

一种多晶氧化镓纳米片薄膜的制备方法 [P].

赵银女 ;

闫金良 ;

闫慧龙 .

中国专利 :CN112281211A ,2021-01-29

[4]

一种CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用 [P].

马淑芳 ;

黄彪 ;

刘松 .

中国专利 :CN114107945A ,2022-03-01

[5]

纳米级氧化镓的制备方法 [P].

康冶 ;

王波 ;

朱刘 .

中国专利 :CN111439778A ,2020-07-24

[6]

一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法 [P].

郭道友 ;

陈凯 ;

樊寅翔 ;

魏亚菊 ;

吴超 ;

时浩泽 ;

王顺利 ;

李培刚 .

中国专利 :CN107841785B ,2018-03-27

[7]

一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法 [P].

方志来 ;

吴征远 ;

蒋卓汛 .

中国专利 :CN109056057B ,2018-12-21

[8]

氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P].

李贺 ;

董增印 ;

王英民 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

王双 .

中国专利 :CN119230387B ,2025-04-22

[9]

氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P].

李贺 ;

董增印 ;

王英民 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

王双 .

中国专利 :CN119230387A ,2024-12-31

[10]

氧化镓纳米管及其制备方法和应用 [P].

马永健 ;

张晓东 ;

李军帅 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112875742A ,2021-06-01

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