一种氧化镓纳米片的制备方法及电极片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311050365.0

申请日：

2023-08-18

公开(公告)号：

CN117023630B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

崔正星

申请人：

东莞意可新材料有限公司

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖园区兴业路2号11栋201室

IPC主分类号：

C01G15/00

IPC分类号：

H01M4/48 B01J23/08

代理机构：

广州骏思知识产权代理有限公司 44425

代理人：

李慧

法律状态：

授权

国省代码：

河南省郑州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

γ相氧化镓纳米片的制备方法、γ相氧化镓纳米片及其应用 [P].

赵维巍 ;

高开正 ;

刘飞华 .

中国专利 :CN118851248A ,2024-10-29

[2]

一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法 [P].

康黎星 ;

刘帅 ;

张蓉 ;

李清文 .

中国专利 :CN116024545B ,2025-09-09

[3]

一种氮化镓纳米片的制备方法 [P].

李恩玲 ;

刘畅 ;

赵宏远 ;

郑艳鹏 ;

沈鹏飞 ;

白凯飞 ;

崔真 ;

马德明 ;

张琳 ;

沈洋 .

中国专利 :CN112850664A ,2021-05-28

[4]

一种多晶氧化镓纳米片薄膜的制备方法 [P].

赵银女 ;

闫金良 ;

闫慧龙 .

中国专利 :CN112281211A ,2021-01-29

[5]

一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法 [P].

方志来 ;

吴征远 ;

蒋卓汛 .

中国专利 :CN109056057B ,2018-12-21

[6]

一种CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用 [P].

马淑芳 ;

黄彪 ;

刘松 .

中国专利 :CN114107945A ,2022-03-01

[7]

氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P].

李贺 ;

董增印 ;

王英民 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

王双 .

中国专利 :CN119230387B ,2025-04-22

[8]

氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P].

李贺 ;

董增印 ;

王英民 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

王双 .

中国专利 :CN119230387A ,2024-12-31

[9]

一种二氧化钛纳米片的制备方法 [P].

王海 ;

王林江 ;

方亮 .

中国专利 :CN102583527A ,2012-07-18

[10]

一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片 [P].

芦伟立 ;

房玉龙 ;

郝文嘉 ;

李帅 ;

王健 ;

高楠 ;

张志荣 ;

王波 ;

陈宏泰 .

中国专利 :CN118053738A ,2024-05-17

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