一种多量子阱结构及其制造方法、发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110008896.4

申请日：

2011-01-14

公开(公告)号：

CN102122687A

公开(公告)日：

2011-07-13

发明(设计)人：

肖德元张汝京

申请人：

申请人地址：

201203 上海市临港产业区新元南路555号金融中心211室

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3306 H01L3300

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101100308134 IPC(主分类):H01L 33/04 专利申请号:2011100088964 申请日:20110114
2013-06-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101608618157 IPC(主分类):H01L 33/04 专利申请号:2011100088964 申请公布日:20110713
2011-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102142492A ,2011-08-03

[2]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122688B ,2011-07-13

[3]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122689B ,2011-07-13

[4]

多量子阱结构、发光二极管以及发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122690A ,2011-07-13

[5]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102130246A ,2011-07-20

[6]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104097A ,2011-06-22

[7]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104098A ,2011-06-22

[8]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104096A ,2011-06-22

[9]

一种多量子阱结构及其发光二极管 [P].

蓝永凌 ;

林兓兓 ;

蔡吉明 .

中国专利 :CN208862012U ,2019-05-14

[10]

一种多量子阱结构及其发光二极管 [P].

徐志波 ;

林兓兓 ;

蔡吉明 .

中国专利 :CN208753355U ,2019-04-16

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